GB/T 10118-2009高纯镓.pdf

ICS77．150．99 H66 a雪 中华人民共和国国家标准 10118—2009 GB／T 代替GB／T10118一1988 ____l— Ej 纯 同 ，U，憎’镓 Highpuritygallium 2009-iO-30发布 宰瞀髋鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会促19 10118—2009 GB／T 刖 吾 本标准代替GB／Ti0118—1988(高纯镓》。 本标准与GB／T10118一1988相比，主要有如下变动： ——增加了检出杂质元素的种类； ——降低了原标准中检出杂质元素的含量； ——引入了MBE级牌号高纯镓； ——对原标准的试验方法进行了修改，增加了辉光质谱法等。 本标准的附录A为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准负责起草单位：国瑞电子材料有限责任公司。 本标准参加起草单位：南京金美镓业有限公司。 本标准主要起草人：于洪国、邢志国。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： 10118--1988． ——GB／T 10118—2009 GB／T 高 纯 镓 1范围 本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内 容等。 本标准适用于以纯度不小于99．99％的工业镓为原料，经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得 的纯度不小于99．9999％的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的必威体育精装版版本。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本适用于本标准。 474 YS／T ICP—MS分析法测定高纯镓中的痕量元素 3要求 3．1产品分类 产品按纯度分为Ga一06、Ga-07、MBE级三个牌号： Ga一06：表示镓含量不小于99．9999％的高纯镓； Ga一07：表示镓含量不小于99．99999％的高纯镓； MBE级：表示镓含量大于99．999999％的高纯镓。 3．2化学成分 产品的化学成分应符合下列各表的规定： 表1高纯镓Ga-06化学成分 化学成分(质量分数)／％ 牌号 Ga 杂质含量／(×10“)，不大于 不小于 Fe Si Pb Zn Sn Mg Cu Mn Cr Ni 总和 Ga_06 99．9999 3 5 3 3 3 3 2 3 3 3 100 注1：表中镓百分