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丝网低效片产生…… 涉及公司利益机密 已删除 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 0.6270575 5.6509798 0.0067278 8.2767954 76.658877 0.175444 1.373799 0.6278948 5.6038486 0.0095929 8.9881763 74.342368 0.1689486 1.5217339 0.628503 5.6615675 0.0070195 11.85189 76.394735 0.1755708 0.9382173 0.6271887 5.5748617 0.0063347 13.687591 77.579945 0.175197 0.9783956 0.6279191 5.5131727 0.0112334 8.6063976 72.825557 0.1628298 1.6715945 0.6278184 5.5790764 0.0107177 11.108134 74.071608 0.1675687 1.1488794 0.6280451 5.5935575 0.0064498 12.342127 77.357535 0.1755199 1.0226494 0.6275362 5.6676347 0.0080427 12.548569 76.079772 0.1747651 0.8893893 0.6285142 5.6437008 0.0091597 10.554495 74.743599 0.1712371 1.2478269 Uoc Isc Rs Rsh FF Irev2 NCell 0.6180001 2.7777532 0.2217889 34.166565 34.975282 0.8291292 0.0404095 0.6211219 3.1740155 0.111332 43.431873 39.835954 0.8831066 0.0528568 0.6257725 3.451195 0.1104398 65.844109 40.405044 0.2156446 0.0587302 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 0.0042319 1.4293474 0.0045513 0.6588125 1.2551878 3.12E-06 12.275726 0.0084475 1.5773007 0.0081247 1.4326175 0.9109182 4.987E-06 12.274223 0.0153496 2.0298398 0.0109233 1.2210956 0.7720504 9.885E-06 12.275726 0.0154133 2.2706323 0.0101854 1.0980207 0.8868621 1.275E-05 12.275726 工艺B班 太阳能电池主要依靠P-N结光生伏打效应来工作,当P型半导体和N型半导体紧密结合成一块时,两者交接处就形成了P-N结, 设两块均匀掺杂质的P型硅和N型硅其掺杂浓度为NA ND。 在室温下,硼,磷原子全部电离,因而在P型硅中均匀分布着浓度为Pp的空穴(多子)及浓度为Np的电子(少子)。在N型硅中类似的均匀分布着浓度为Nn的电子(多子)及浓度为Pn的空穴(少子)。当P型硅和N型硅相互接触时,交界面两侧的电子和空穴浓度不同,于是界面附近电子将通过界面向下扩散运动,当它达到平衡时,于是界两侧正,负电荷区形成一电偶层,称为阻挡层。因为电偶层中的电子或空穴几乎流失或复合殆尽,所以又称阻挡层为耗尽层,又因为阻挡层中充满了固定电荷,故此又称空间电荷区,其中存在由N区指向P区的电场,称为“内建电场”,显然,在内建电场作用下,将产生空穴向右,而电子向左的漂移,其方向正好与扩散方向相反 太阳能电池的工作原理 开路电压 I = 0 R = ? + _ V = VOC I = ISC R = 0 短路电路 (0.5V, 0 mA) ? V ? I = 0 mW (0.43 V, 142 mA) ? V ? I = 61 mW ISC VOC PMAX Some typical values ISC RS RSH RLOAD Cell ISC RS = 0? RSH = ? RLOAD 理想情况 图中RS即为串联电阻:包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等 Rsh为旁漏电阻即为并联电阻,为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起 图中RS即为串联电阻:包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等 Rsh为旁漏电阻即为并联电阻,为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起 Uoc:开路电压 Isc:短路

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