MOSFET的击穿特性的研究论文.doc

燕山大学 课 程 设 计 说 明 书 题目：MOSFET的击穿特性的研究 学院（系） 理学院 年级专业： 08电子信息科学与技术 学 号： 080108040003 学生姓名： 陈滔 指导教师： 郭得峰 教师职称： 讲师 燕山大学课程设计（论文）任务书 院（系）： 理学院 基层教学单位： 08电子信息科学与技术 学 号 080108040003 学生姓名 陈滔 专业（班级） 08微电子 设计题目 MOSFET的击穿特性的研究 设 计 技 术 参 数 设计参数： 氧化层厚度：0.6μm； 沟道长度 ： 0.9μm ； 最高结温 ： 1000℃； 工作电压 ： -9V到9v 设 计 要 求 1.给出MOSEFT的基本结构模型及其参数（包括迁移率模型、不完全电离模型以及碰撞离化模型），并在此基础上验证了器件的工作机理，包括不同偏压下的工作模式，讨论了器件的基本特性。 2.介绍了MOSFET的基本击穿特性，MOSFET 的击穿特性比较；各个结构参数对器件击穿特性的影。 5.熟练运用SILVACO对电路进行仿真研究。 6.完成课程设计总结报告。 工 作 量 十五个工作日左右 每个工作日三到五小时 工 作 计 划 2011/11/5 ----2011/11/7 实验选题 2011/11/8 ----2011/11/12 实验操作 2011/11/13----2011/11/18 实验论文 2011/11/19----2011/11/20 论文检查和修饰 参 考 资 料 1、韩露，熊平，白雪平；MOSFET击穿特性的二维数值模拟；[J]；数字通信；2010年03期 2、陈星弼，张庆中；《晶体管原理与设计》；[M]；北京：电子工业出版社，2006 3、刘恩科；《半导体物理学》；[M]；北京：电子工业出版社，2006? 指导教师签字 基层教学单位主任签字 说明：此表一式四份，学生、指导教师、基层教学单位、系部各一份。 年 月 日 MOSFET的击穿特性的研究 摘要：MOSEFT中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的。本文对一个MOS场效应管进行的漏源击穿特性运用SILVACO模拟软件进行分析。 关键字： MOSEFT；漏源击穿电压；SILVACO仿真 The breakdown voltage extraction of MOSEFT based on SILVACO Abstract:The breakdown institutions of MOSEFT drive from drain-source breakdown and gate-source breakdown. Drain-source breakdown voltage is decided by the smaller one of PN junction avalanche breakdown voltage and punch-through voltage. In this paper, we used a software named SILVACO to simulate the characteristics of MOSFET drain-source breakdown. Key words：MOSEFT; drain-source breakdown ; SILVACO simulation 一．设计原理 MOSFET 的工作原理 图 1 MOSFET 的工作原理 当 VGS VT（称为 阈电压 ）时， N型的源区与漏区之间隔着P型区，且漏结反偏，故无漏极电流。当 VGSVT时，栅下的P型硅表面发生强反型 ，形成连通源、漏区的 N 型沟道，在VDS 作用下产生漏极电流 ID 。对于恒定的 VDS ，