基于聚噻吩聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管.pdfVIP

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第33卷第8期 发 光 学 报 V01.33No.8 .2012 2012年8月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEAug. 文章编号:1000—7032(2012)0843857-06 基于聚噻吩/聚己内酯共混物的有机薄膜晶体管 王晓鸿,邱龙臻+ (特种显示技术教育部重点实验室,特种显示技术国家工程实验室, 现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地,合肥工业大学光电技术研究院,安徽合肥230009) 摘要:选择聚3一己基噻吩(P3HT)/聚己内酯(PCL)双晶共混体系制备了不同配比的共混物有机薄膜晶体 管。电学性能研究发现,随着共混物中P3HT含量降低,薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压 cm2· 等性能缓慢降低。当P3HT质量分数为40%时,共混物薄膜仍具有较好的场效应性能,迁移率为0.008 V。原子力显微镜测试结果表明:共混物成膜时发生明显 v‘。·s~,开关电流比为5x103,阈值电压为45.5 的垂直相分离.在界面处形成连续的半导体层,有利于载流子传输。 关键词:有机薄膜晶体管;半导体/绝缘聚合物;相分离;电性能 中图分类号:TN321+.5文献标识码:A DOI:10.3788/fgx0857 TransistorsBasedonBlendsof ThinFilm Organic Polycaprolactone Poly(3一hexylthiophene)and WANG Xiao—hong,QIULong—zhen+ of Technology,MinistryofEducation,NationalEngineeringLaboratoryofSpecialDisplayTechnology (KeyLaboratorySpecialDisplay National Advanced ofoptO—ElectronicTechnology, KeyLaboratoryofDisplayTechnology,Academy 230009,China) HefeiUniversityofTechnology,Hefei Author。E—mail:lzqiu@£tStc.edu }Corresponding Abstract:Acrystallinecontaining polycaprolactone blending system poly(3-hexyhhiophene)and reveal ofblend was electricmeasurementsthatthefield—effect films. investigated.The

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