透射式近UV光阴极的研究.pdfVIP

⑤ 1一 维普资讯 第1卷 第J期 光学 精密工程 1993年8月 透射式近 UV光阴极的研究 张云滠 姜德龙 (长音光草面 掖 春130O22) ● 摘要 文 中首先简要地介绍 了化 占物近 uV 光阴极．然后详述 了高稳定度纯盒薄 膜光阴艇的实验方法 ．绐 出了制告技术和测试结罘，晟后指出了其优点及应用前景 关键词： 堕堡；皇_u翌些型· ；塑 1 引 言 到 目前为止，众所周知的红外和可见光波段的透射式 s一系列光阴}碡 及 Ⅱ一 V族 负电 子亲和势光 闭}碡的基本理论和制备披术 已口臻成熟 ．并成功地应用丁光电管 ．光 电倍增管、变 像管和像增强器以及摄像管等真空器件中。而uV光阴做的研究起步较晚。uV光量子能量较 大 ，s一 系列和 Ⅲ一V族 GaAs光阴 }砖往近 UV 区几乎部有响应．图 1示出了几种婵型光阴概 的光谱响应特性 。但在实际应用中对uV光阴 极还有一些具体要求 ：(1)在大气中使用时．要 求 uv光阳极必须具备太 阳盲特性 (对可见光 不敏感) (2)窗 口材料具有较高的 uV透过特 性 ；(3)非金属 uV光 阴做的基底材料具有较 ， 低 的uV 吸收特性 (吸收率小于 15 )和化学 稳定性 ；(4)阳做本身光电发射特性稳定 通常将 uV光 阴做分 为化 合物和纯 金属 的两类．文中重点介绍 Au薄膜光隅板 2 化合物近 UV光阴极--CsTe 在近 uV 区 (380—200nm)的适 目式化 台 物光啊菠{ “碲化铯(CsTe)和碲化i如(RbTe)最为典型 台适的窗 口材料足石英和 白宝石 ，截 止波长 180nm。Ni或 cr是适用的基底树料 ．使其在窗 口的内表面形成很薄的导电膜 CsTe 光阴极的工艺与 csasb光阴极工艺相似 先在基底导电膜上蒸Te．然后在 140C时引Cs．化学 收情 日期 ：199s年 7月 30口 维普资讯 反应后即形成 Cs2T 腕 。Cs量控带Ⅱ是父谜 ．其可 陵闭段响应在可 见光处俄 l。图 2示出T csTe 光 韫的光}跨 J应 。 已 csTe桀 宽l蔓E Ⅲ小可：3．SeV ·而 + 一二。3·SeV 显然}也子亲椰舟E 仅为零 几 电了伙。CseTe j}J{光 乜『于发射的峰 是illfff廿I也予产生的 际跃迂所致 Cs鞋控制 台适 ．在 X-253．7I…1处虽了效率可达 l5；。 ：2OC… 咯发 目t约为 10 A ／cn1z化 台物近 UVJ~l：,JI阪主要ffj UV光 lii fu光L{土惜增管 tr。在人 l}界『露时阴极柑失 效 。 3 纯金属透射式近 uV光阴极--Au薄膜 3．1 窗 口和基底材料 我们选用T Ys一系列石夔玻璃怍为窗 口 材 }．j在 240 300nnl范 围内uV透过率火 于 85 。由于 Au是纯金属 ．因此)：『再 另选基 底 。 3．2 Au薄膜光阴撅的制备 将载有纯 Au丝 (或书})的钳舟置个真空室 内，在真空墁为 (1—3)×10。Pa时H蒸发 的方 法在石英脏璃H上形成 Au薄膜 ．其厚度可 山 加热 电流和持续时间控制 ，或用在真 空装置 中 特制的Au薄膜 白光透过率的测试组件随时测 量 白光透主=f率人1小米达到控 uV透过率 (相 当于控制Au薄膜厚度)的目的。困3示出了 Au薄膜 UV透过率与 白光透过率的关系。 3．3 Au薄膜光阴撅光电发射特性的i昊I焉 将Au薄膜光阴摄制成可拆卸的光 电二饭 管。选用ZMIt7型盘香 uV