第1章晶体二极管.pptVIP

根据制作工艺不同分为： 点接触型二极管 ：适合检波， 可高频应用(结电容小) ?面接触型二极管：适合整流， 低频应用(结电容大) 平面型二极管：适合整流， 低频应用(结电容大) 例 3　设二极管是理想的，求 VAO 值。 图(a)，假设 D 开路，则 D 两端电压： VD = V1 – V2 = ( – 6 – 12)V = – 18 V 0 V,， 解： 故 D 截止,。 VAO = 12 V。 + - D V2 V1 + - A O VAO + - 12 V -6 V 3 k? (a) + - - + D1 D2 V2 V1 + - A O VAO 3 k? 6 V 9 V (b) 图(b)，假设 D1、D2 开路，则 D 两端电压： VD1=V2 – 0 = 9 V 0 V， VD2 = V2 – (–V1) = 15 V 0 V。 由于 VD2 VD1 ，则 D2 优先导通。 此时 VD1 = –6 V 0 V， 故 D1 截止。 VAO = –V1 = –6 V 。 第 1 章　晶体二极管 画输出信号波形方法 　　根据输入信号大小 ? 判断二极管的导通与截止 ? 找出 vo 与 vi 关系 ? 画输出信号波形。 例 4　设二极管是理想的，vi = 6sin?t (V)，试画 vo波形。 解： vi 2 V 时，D 导通，则 vO = vi vi ? 2 V 时，D 截止，则 vO = 2 V 由此可画出 vO 的波形。 + - D V + - + - 2 V 100 ? R vo vi t 6 2 O Vi/V Vo/V t O 2 6 第 1 章　晶体二极管 第 1 章　晶体二极管 例 5　如图(a)所示电路中， D1， D2的VD(on) =0.7V，RD=100 ?，试画出VO 随VI变化的传输特性。 R1 D1 D2 R2 VDD2 VDD1 VO VI + _ + _ + _ + _ 100k ? 200k ? 100V 25V A (a) R1 D1 D2 R2 VDD2 VDD1 VO VI + _ + _ + _ + _ 100k ? 200k ? 100V 25V A I (b) 将D1、D2 看为理想二极管 第 1 章　晶体二极管 R1 D1 D2 R2 VDD2 VDD1 VO VI + _ + _ + _ + _ 100k ? 200k ? 100V 25V A I1 VI/ V VO/ V 0 137.5 100 25 25 当VI 25V时，D1和D2 都截止，得VO = VDD2 =25V。 当VI 25V时，D1导通和D2 仍截止， 得通过D1的电流I1 ： 此时VO ： 当VO= VA = 100V时： 四、小信号分析法 　　即将电路中的二极管用小信号电路模型代替，利用得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。 分析步骤： 将直流电源短路，画交流通路。 用小信号电路模型代替二极管，得小信号等效电路。 利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。 第 1 章　晶体二极管 第 1 章　晶体二极管 例 6　如图(a)所示电路中， IQ =0.93mA，R=10k ?，△VDD=sin2π×100t(V) ,试求△V。 R10k ? D + _ + _ VDD △VDD (a) R + _ △VDD △V + _ (b) rs rj △I 解： 令VDD=0，并将二极管用小信号模型表示，画出小信号等效电路，见图(b)。 其中， rj =VT/IQ=26/0.93 ? ≈30 ? 设rs =5 ? ，则由图(b) 所示电路求得 △I= △VDD/(R+ rs+ rj) ≈ △VDD/R=0.1 sin2π×100t(mA) △V=△I(rs+ rj) ≈3.5 sin2π×100t(mV) 1.4　晶体二极管的应用 电源设备组成框图： 电 源 变压器 整流 电路 滤波 电路 稳压 电路 vi vo t vi t v1 t v2 t v3 t vo 第 1 章　晶体二极管 1.4.1　整流与稳压电路 二极管的单向导电性和反向击穿特性，可构成整流、稳压、限幅各种功能电路。 1. 电源变压器：改变电压值通常为降压 2. 整流电路：交流变脉动的直流 3. 滤波电路：减小脉动 4. 稳压电路：1) 负载变化输出电压基本不变； 2) 电网电压变化