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MTK电路原理分析
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出处:第一价值网(IC网络超市)转载请注明出处!
MTK使用的是6229的BB芯片,Transeiver使用的是MT6140,PA为3159芯片。
6229和6230的区别为CAMERA的支持像数,6229支持200万像数,6230只
支持30万像数。
6229和6226,6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持
EDGE,并且6229的主频为104MHZ,相关于传统的BB芯片52MHZ的主频处
理速度快了许多,所以6229不仅可以支持OTG,TVOUT,并且还支持WI-FI。
OTG只支持版本,OTG的数据线规范要求不能大于20CM,如果过长
会对信号有较大的衰减和反射。
手机里6229也使用的是的晶振产生时序电路基准信号。是
RTC〔实时时钟〕晶振,用是因为32768是2的15次幂,可以很方便的
分频,很准确的得到一秒的计时。所有的RTC晶振一般都是或是其倍
频。在手机电路中还有一主时钟,一般为13MHz或是其倍频。之所以选用
13M这样的时钟是为了与基站同步。
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MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采纳混合储存器的
方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。
NOR+NAND存储器采纳NOR来存储BIOS代码,采纳NAND存储代
码(操作系统和应用软件)和数据,易失性RAM被用来存储执行代码时
的变量和数据结构。这种存储器解决方案采纳代码映射或请求调页来
执行存储在NAND中的操作系统和应用软件。
混合存储器采纳SRAM和NAND,采纳NAND作为非易失性存储器,
所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从
NAND引导,不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR,因此可降低
总系统成本。它们还可以减少元器件数量,节省了电路板空间。但
是,这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需
要主机上有支持请求调页的先进操作系统。
MIC电路
MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压,一般为左右的电压。
C204,C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电
容,如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容,如果有的干扰则
使用的电容。
C206主要是抑制共模信号。
C201,C202为100NF电容,主要作用为隔直通交,防止直流电使PA饱和,产生信号偏移,
主要滤除100HZ一下的电流。
B201,B202为磁珠,主要滤除高频部分的干扰。
MIC偏置电流流向为从MICBIASP----MICBIASN,而不用公共的GND,主要是因为GND干
扰太大。
磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变
化。他比一般的电感有更好的高频滤波特性,在高频时浮现阻性,所以能在相当宽的
频率范围内坚持较高的阻抗,从而提升调频滤波效果
MIC内部结构
OUTPUT
CP
TERM。1
RL
C
C1
C2
VS
Shieldcase
TERM。2
GROUND
C1=10pf
C2=33PF
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Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转
换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化,最终都以电压变化的形式输出。所以,
我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。
CP就是那颗能依据振动调整容值的电容,然后通过后面的场效应管扩大信号,C1,
C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。
耳机电路
VDD
100K
VDD
47K-190K上拉电阻,典
型值为75K
B
压降为C
EINT
BB
A
未插入耳机时,A点断开,所以B点处于高电平,二极管截至,C处为高电平,所以
EINT为高电平。BB芯片推断耳机未插入。
当插入耳机时,由于耳机一般为64欧姆,32欧姆,或者16欧姆〔MTK使用的为32欧姆〕。
相关于100K欧姆,分压仅为左右,二极管导通,C处电压为左右,EINT值
为低电平,BB芯片接受到中断。推断可能为耳机插入。但这样还是不够的,耳机插入还需
要满足下面另一个条件。
MICBIOS
MICBIOS
XMIC
ADC
ADC
假设满足1.ADC>1V,2.EIN为低电平。则表示耳机为插入。
RightLeftMICGND
假设只插入一半,耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上,然后XMIC信号
直接连接GND,ADC则为低电平。虽然现在的耳机已经不需要这个动作了,但是手机
研发还是保留了这个信号未删除,以免出现问题。
MP3电路
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MTK使用的一个D类功放,电
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