教程案例模电模电ch.pptx

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2021-10-29 发布于北京
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Huazhong University of Science and Technology The Department of Electronics and Information Engineering;PART 1　SEMICONDUCTOR DEVICES AND BASIC APPLICATIONS 　　Chapter 1　Semiconductor Materials and Diodes 　　Chapter 2　Diode Circuits 　　Chapter 3　The Field-Effect Transistor 　　Chapter 4　Basic FET Amplifiers 　　Chapter 5　The Bipolar Junction Transistor 　　Chapter 6　Basic BJT Amplifiers 　　Chapter 7　Frequency Response 　　Chapter 8　Output Stages and Power Amplifiers PART 2　ANALOG ELECTRONICS 　　Chapter 9　Ideal Operational Amplifiers and Op-Amp Circuits 　　Chapter 10　Integrated Circuit Biasing and Active Loads 　　Chapter 11　Differential and Multistage Amplifiers 　　Chapter 12　Feedback and Stability 　　Chapter 13　Operational Amplifier Circuits 　　Chapter 14　Nonideal Effects in Operational Amplifier Circuits 　　Chapter 15　Applications and Design of Integrated Circuits;Ch5. The Bipolar Junction Transistor;Ch5. The Bipolar Junction Transistor;Ch5. The Bipolar Junction Transistor;Ch5. The Bipolar Junction Transistor;5.1 Basic Bipolar Junction Transistor (BJT);;5.1.1 Transistor Structure;5.1.2 NPN Transistor: Forward-Active Mode Operation;B-E junction is forward biased. B-C junction is reverse biased.;;5.1.2 NPN Transistor: Forward-Active Mode Operation;2. Current relationships;2. Current relationships;IE=IB+ IC;3. Three Types of Circuit Configurations;5.1.2 NPN Transistor: Forward-Active Mode Operation;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;Modes of Operation;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;5.1.3 Current-Voltage Characteristics;5.1.4 BJT Main Parameters;5.1.4 BJT Main Parameters;5.1.4 BJT Main Parameters;5.1.4 BJT Main Parameters;5.1.4 BJT Main Parameters;Review Questions;Review Questions;(1)VC=6V,VB=0.7V, VE=0V;(2)VC=6V,VB=6V, VE=5.4V;(3)VC=6V,VB=4V, VE=3.6V;e)VC=3.6V,VB=4V, VE=3.4V;R