探索Bi2Se3拓扑绝缘体薄膜器件：光电性能、影响因素及应用前景.docx

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2025-12-01 发布于上海
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探索Bi2Se3拓扑绝缘体薄膜器件：光电性能、影响因素及应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

拓扑绝缘体作为一种具有新奇量子特性的物质状态，是当前凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。与传统的绝缘体和导体不同，拓扑绝缘体内部是绝缘的，而其表面或边界却存在着受拓扑保护的导电态，这些导电态具有独特的自旋-轨道耦合效应，使得电子的自旋与动量锁定，呈现出许多新奇的物理现象，如量子自旋霍尔效应、量子反常霍尔效应等。这些特性为未来的电子学、自旋电子学和量子计算等领域带来了新的机遇和挑战，引发了科学家们广泛的研究兴趣。

Bi?Se?是一种典型的三维拓扑绝缘体，具有简单的晶体结构和较大的体能隙，使其在