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电沉积法制备ZnSe薄膜的工艺探索与结构表征分析.docx

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    电沉积法制备ZnSe薄膜的工艺探索与结构表征分析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代材料科学与光电子技术飞速发展的背景下，半导体薄膜材料因其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了科研领域的研究热点。ZnSe薄膜作为一种重要的II-VI族直接带隙半导体材料，具有2.7eV的宽带隙，以及高激子结合能、高折射率和高载流子迁移率等优异特性，在光电子领域展现出了不可替代的作用。

    在光电器件方面，ZnSe薄膜对光电子吸收层具有较高的通过率，使其成为制备发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等器件的理想材料。由ZnSe薄膜制成的蓝光LED，在照明领域具有节能、环保、寿命长等优

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