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2025及未来5年中国氮化镓(GaN) 行业发展前景预测及投资战略研究报告.docx

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    2025及未来5年中国氮化镓(GaN)行业发展前景预测及投资战略研究报告

    目录

    TOC\o1-3\h\z\u摘要 3

    一、氮化镓产业底层技术演进机制与材料物理极限突破路径 5

    1.1GaN外延生长工艺的晶格失配抑制机制与缺陷密度控制原理 5

    1.2高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的界面态调控与可靠性底层逻辑 7

    1.3宽禁带半导体能带工程对功率密度提升的物理约束与创新边界 10

    二、典型企业技术路线选择背后的竞争博弈与战略卡位逻辑 12

    2.1英诺赛科与纳微半导体在8英寸GaN-on-Si量产路径上的工艺分歧与成本结构差异 12

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