集成电路原理期中考试试题汇编.pdfVIP

《原理》期中考试

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1.（2分）数字电路的抽象层次主要分为

，我们这门课程的主要是通过构建来达到

设计，除了完成功能外最关心的是以下指标：。

2.（2分）一直以来，技术一直在追求更（大/小）的晶圆面积，同时也追

求更（大/小）的器件尺寸和更（高/低）的集成密度。这样就能达到在相同面积

下实现更（多/少）的门。而影响实现面积除了门以外的另一个设计因素是

。

3.（2分）分别说明以下几种测试结构的目的。

(a)(b)

(c)(d)

4.（1分）简单解释为什么中上层的互连需要做的比下层的截面尺寸大。

5.（共6分）下图是一个NMOS器件的IV曲线，假设其源极及衬底共地（衬底

偏压为0）。

Vgs=2V

Vgs=1.75V

Vgs=1.5V

Vgs=1.25V

Vgs=1V

Vgs=0.75V

Vgs=0.5V

（1）（2分）试找出下表中空缺的参数。并说明依据。

表1

0.52-1

VT0(V)(V)VDSAT(V)K’(A/V)(V)

−

NMOS