高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管：制备工艺、特性与应用的深度剖析.docx

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2025-11-28 发布于上海
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高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管：制备工艺、特性与应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术的飞速发展进程中，薄膜晶体管（ThinFilmTransistors，TFT）作为构建各类电子器件的关键基础元件，其性能优劣对整个电子系统的表现起着决定性作用。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZOTFT），作为新一代薄膜晶体管的杰出代表，凭借其卓越的性能优势，在众多领域展现出巨大的应用潜力，已然成为学术界和产业界共同关注的焦点。

在显示技术领域，a-IGZOTFT的出现掀起了一场技术革新的浪潮。随着人们对显示设备的要求日益提升，如追求更高的分辨率、更快的响应