碳纳米管薄膜阴极：制备工艺、场发射性能优化及应用前景探究.docx

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2025-11-26 发布于上海
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碳纳米管薄膜阴极：制备工艺、场发射性能优化及应用前景探究.docx

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碳纳米管薄膜阴极：制备工艺、场发射性能优化及应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的背景下，真空电子器件作为电子领域的关键组成部分，广泛应用于通信、雷达、电子对抗、医学成像等众多领域，其性能的优劣直接影响着相关系统的整体性能。而阴极作为真空电子器件的核心部件，负责电子的发射，对器件的性能起着决定性作用。传统的阴极材料在电子发射能力、稳定性、能耗等方面存在一定的局限性，难以满足日益增长的高性能需求。因此，寻找新型的阴极材料并深入研究其性能，成为推动真空电子器件技术发展的关键。

碳纳米管自1991年被发现以来，凭借其独特的结构和优异的性能，在众多领域展现出巨大的应用