基于PSpice的SiC MOSFET温度特性建模与分析：理论、方法与验证.docx

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2025-11-24 发布于上海
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基于PSpice的SiCMOSFET温度特性建模与分析：理论、方法与验证

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，随着科技的飞速发展，对功率器件的性能要求日益提高。SiCMOSFET作为第三代半导体器件的代表，凭借其卓越的性能优势，如高耐压、低导通电阻、高开关频率以及出色的高温性能等，在新能源汽车、可再生能源发电、智能电网、轨道交通等众多领域展现出巨大的应用潜力，成为推动电力电子技术发展的关键器件之一。

在新能源汽车的车载充电器和电机驱动系统中，SiCMOSFET的应用能够显著提高系统效率，减少能量损耗，同时有助于实现系统的小型化和轻量化，提升电动汽车的续航里程和整体性