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InGaN_GaN低维量子阱结构：制备工艺与发光特性的深度剖析.docx

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    InGaN/GaN低维量子阱结构：制备工艺与发光特性的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着科技的飞速发展，光电子领域在现代社会中扮演着愈发重要的角色，涵盖了照明、显示、通信、医疗等众多关键领域。在众多光电子材料中，InGaN/GaN低维量子阱结构因其卓越的性能而备受瞩目，成为该领域的研究焦点之一。

    氮化镓（GaN）作为一种宽带隙半导体材料，在紫外至蓝光区域展现出良好的发光性能。而通过在GaN材料中掺入In元素，形成InGaN/GaN低维量子阱结构，能够有效地改变材料的能带结构，进而实现电子和空穴在低维空间内的界面复合，产生强烈的发光效应。这种特殊的结构使得材料具有较高

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