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行业分析

2024年刻蚀设备投资分析

报告

汇报人：XXX

01刻蚀设备行业综述

02刻蚀设备行业发展环境

目录

CONTENTS03刻蚀设备行业现状分析

04刻蚀设备行业痛点及建议

05刻蚀设备行业未来发展趋势

01

刻蚀设备行业综述

刻蚀设备行业定义

刻蚀设备行业发展历程

刻蚀设备行业产业链

刻蚀设备定义

什么是刻蚀设备？

刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、

介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩

蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与

掩膜板图形对应的图形。湿法刻蚀:用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在3um以后由于线

宽控制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。

干法刻蚀:常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离子，与暴露的表面材

料发生物理反应、化学反应。刻蚀主要参数:刻蚀速率、均匀性、选择比（对不同材料的刻蚀速率比）、刻

蚀坡面（各向异性、各向同性）。应用最广泛的刻蚀设备是ICP与CCP，技术发展方向是原子层刻蚀

（ALE）。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低，主要用于介质材料刻蚀（形成上层线路）——诸如

逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及3D闪存芯片工艺

（氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高，主要

用于硅刻蚀和金属刻蚀（形成底层器件）——硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、

应变硅（Strained-Si）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻

蚀工艺。ALE:技术发展方向，能精确刻蚀到原子层（约0.4nm），具有超高刻蚀选择率。应用广泛。

02

刻蚀设备行业发展环境

政治环境、社会环境、经济环境

InvestmentAnalysisReportingBidding

刻蚀设备行业政策

工信部

《工业能效提升行动计划》:提出要支持制造企业加强绿色设计，提高网络设备等信息处理设备能效，推

动低功耗芯片等产品和技术在移动通信中的应用，推动电源、空调等配套设施绿色化改造。

011部门

发改委、工信部

《关于做好2022年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》:2部门

有关企业重点布局高性能处理器、FPGA芯片、存储芯片等领域，并对选择领域的销售（营业收入）做出02

了相应的要求。

《“十四五”数字经济发展规划》:提出实施产业链强链补链行动，加强面向多元化应用场景的技术融合033部门

和产品创新，提升产业链关键环节竞争力，完善5G、集成电路、新能源汽车、人工智能、工业互联网等

重点产业供应链体系。各项政策的提出，进一步加大了半导体行业的扶持力度，助推行业国产化进程