Tanner EDA V15晶体管模型500级特性与应用分析.pdfVIP

下载本文档

0
0
约15万字
约 95页
2025-11-28 发布于北京
举报
版权申诉

Tanner EDA V15晶体管模型500级特性与应用分析.pdf

1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

9.1Introduction

TheLteralbipolartransistormodel,level500,providesanextensivedescriptionofalateral

integratedcircuitjunction-isolatedPNPtransistor.ItismeanttobeusedforDC,transientand

ACanalysesatallcurrentlevels,i.e.includinghighandlowinjection.

ForPstar,SpectreandADSusersitisavailableasbuilt-inmodel.

9.1简介

横向双极晶体管模型，级别500，了横向结PNP晶体管的广泛描

述。它适用于所有电流水平（即包注入和低注入）的直流、瞬态和交流分析。

对于Pstar、Spectre和ADS用户，它可以作为内置模型使用。

9.2Physics

9.2.1Surveyofmodeledeffects

•Temperatureeffects

•Chargestorageeffects

•Excessphaseshiftforcurrentandstoragecharges

•Substrateeffectsandparasiticpnp(fortheTPSdeviceonly)

•High-injectioneffects

•Built-inelectricfieldinbaseregion

•Bias-dependentEarlyeffect

•Low-levelnon-idealbasecurrents

•Hardandquasi-saturation

•Weakavalanche

•Currentcrowding(DC,ACandtransient)andconductivitymodulationfor

baseresistance

•Hotcarriereffectsinthecollectorepilayer

•Explicitmodelingofinactiveregions

•Splitbase-collectordepletioncapacitance

9.2

9.2.1模型效应

•温度影响

•电荷效应

•电流和电荷的过度相移

•衬底效应和寄生pnp（仅适用于TPS器件）

•高注入效果

•基区内置电场

•依赖偏差的早期效应

•低电平非

您可能关注的文档

文档评论（0）

187****4471 + 关注: 实名认证

文档贡献者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

Tanner EDA V15晶体管模型500级特性与应用分析.pdfVIP