Si及树状SiZnO纳米线阵列：制备、光学性质与应用探索.docxVIP

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2025-11-24 发布于上海
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Si及树状SiZnO纳米线阵列：制备、光学性质与应用探索.docx

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Si及树状SiZnO纳米线阵列：制备、光学性质与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，纳米材料凭借其独特的物理化学性质，成为了众多领域研究的焦点。硅（Si）作为一种重要的半导体材料，在集成电路、光电器件等领域有着广泛的应用。而硅纳米线（SiNWs），作为硅材料的一维纳米结构，具有高比表面积、优异的电学和光学性能，在纳米电子学、传感器、能源等领域展现出了巨大的应用潜力。例如，在传感器领域，硅纳米线的高比表面积使其能够更有效地吸附目标分子，从而提高传感器的灵敏度和选择性。

树状SiZnO纳米线阵列是一种新型的纳米结构，它结合了硅和氧化锌（ZnO）的优点。ZnO