高价B位掺杂钛酸钡基陶瓷：合成路径与介电性能的深度剖析.docx

下载文档

1
0
约1.92万字
约 16页
2025-11-23 发布于上海
举报
版权申诉
保障服务

高价B位掺杂钛酸钡基陶瓷：合成路径与介电性能的深度剖析.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

高价B位掺杂钛酸钡基陶瓷：合成路径与介电性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域，电子设备的小型化、高性能化趋势愈发显著，对电子元件的性能提出了极高要求。钛酸钡基陶瓷（BaTiO_3）作为一种关键的电子陶瓷材料，具有高介电常数、良好的压电性和铁电性等诸多优异性能，被广泛应用于多层陶瓷电容器（MLCC）、传感器、压电驱动器等电子元件的制造，是电子陶瓷领域的核心材料之一。

然而，纯钛酸钡基陶瓷在实际应用中存在一些局限性，例如介电常数不够高、介电损耗较大、温度稳定性欠佳等问题，这在一定程度上限制了其在高端电子器件中的应用。为了改善钛酸钡基陶瓷的性能，满足日益增长的电子技术需求