负压应用 （电子电路10.9）.pdfVIP

负压应用

今天我们接着学习，负压怎么样形成的与运用到MOSFET的放电回路中。

我们先分析一下思路，我们看下，主要是电容左右两边的三极管的开关逻

辑关系是吧？先看一下电容的充电，电容的充电是需要Q214开通，Q215关

闭是吧？那个这个电容充电的时候，是对应MOSFET的开通是吧？mosfet关闭的

时候形成负压做负压就是为了放电用的，那我们可不可以利用栅极的高的能量来

开通这个Q214三极管呢？

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利用栅极的高的能量来开通这Q214，可以做到MOSFET开通时，C6在充电中，

这点很关键，因为电容需要补充能量，为后面的负压放电做准备，然后我们来设

计右边的Q215三极管的控制逻辑，大家看看，右边的三极管的控制信号应该接

哪里呢？C6充电时Q214导通Q215不通，放电时Q215通Q214不导通。

右边这个三极管需要在MOSFET开通的时候关闭是吧，而正好B点为低的

时候，MOSFET导通，B点为低的逻辑跟Q215的B极控制信号的逻辑是不是一

致的？是吧？

看下这个图，这样是不是可以实现逻辑？

问：Q211B极低电平的时候B电电压是多少？

答：Q211B极接的是固定电压3.3V，我们在B点（即Q211的E极）加PWM信号。

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大家看下这个图，放电的时候，Q214是断开的是吧？Q215是饱和导通的是

吧，那D点的电压是0.3V，是吧？由于电容上是右正左负是吧，而且压差在10V

以上是吧？那么电容右边是0.3V，左边应该是一个深度负压，F点是一个负压，

是吧？充电时C6电压压差是10V以上，放电时C6正端放掉10V，是不是负端

也要放掉10V?

接下来我们分析Q213，如图所示那Q213的B极是不是也是一个负压啊（充

电时C6电压压差是10V以上，-11V是实际测出来的，是一个大概值，如果需

要高或低，可以自己改容值调试）

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问：R222会有压差吗，C6充电时会怎么变化？

答：如果对C6充的时间足够长，压差就很小，这个时候我们需要看下R292电

阻的压降了，R292的压降是多少伏？13.6V，那三极管的Q213的Ib电

流就很大了是吧，这个电阻应该怎么取值啊？这里的取值需要兼顾一下，当

没有负压的时候，比如先执行下MOSFET关断的时候那是不是这个R292电

阻又不能太大，是吧？实际项目中我们取值5.1K，你们自己设计项目时要

自己调试更准确，可以再微调或不调，没有负压的话，那这个R292电阻

取值10K或100k，阻值是不是有点大啊？。所以这里需要兼顾就取

值5K1了。

我们来分析一下M点的电压，我们先看下栅极电阻R211。

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如果R211取值510R的话，那M点的电压是不是负压啊？这里是不是三

极管的CE内阻跟栅极电阻进行分压？那么当栅极电阻渐渐减小的时候，

M点的电压是不是渐渐上升，是吧？三级管的CE内阻是不是由等效Ic电流

决定的，是吧？Ic电流可以达到多大啊？100mA，12V/100毫安，等效内阻是

不是差不多在120欧左右，是吧？也就是说在GS电压在12V的时

候等效内阻在120欧左右。变的是源电压的幅值，不变的是Ic电流，

那等效内阻是变化的，是吧？

问：这个100ma是不是要Q213放大状态时给出的饱和电流？

答：等效内阻是直接电源除以电流来的，这个时候是不考虑回路上的串联电阻

的，回路上的串联电阻只是限制了回路电流，是回路中实际流过的电流，

而CE内阻是代表的是回路通过电流的能力，这两者是有差异的，一个

是能力，一个是实际电流，不代表需要把能力