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2025-11-27 发布于山东
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场效应晶体管及其电路分析

篇电;1.3.1场效应晶体管结构特性;1、绝缘栅场效应管(IGEFT;2、NMOS增强型工作原理（1;2、NMOS增强型工作原理（续;2、NMOS增强型工作原理（续;2、NMOS增强型工作原理（续;2、NMOS增强型工作原理（续;3、N沟道耗尽型MOSFET;4、结型场效应管(JFET);（2）N沟道JFET的工作原理;（2）N沟道JFET的工作原理;（2）N沟道JFET的工作原理;5、场效应管类型（1）绝缘栅型;场效应管的典型应用输出回路电流;1、增强型NMOS场效应管伏安;（2）增强型NMOS管输出特性;**IDSS，VGS=0时漏极;3、场效应管的主要参数(1);(2)交流参数低频跨导(互导;3、场效应管工作状态估算例1:;例2:分压式自偏压共源放大电路;例5：分析图示VGS=2/4/;(2)VGSVT(4V)工;(3)**恒流区内ID近似只受;例6：N沟道结型场效应管和P;集成电路分类**二极管、三;1.复合管（达林顿管，Dar;***常见达林顿管组合;（1）等效复合管的管型取决于第;2.多集电极管和多发射极管（;（1）常作为门电路的输入级电路;3.肖特基三极管（1）肖特基;1.2.7半导体器件的制造工艺;***半导体器件的封装工艺