氧化锌薄膜微观结构调控及光电磁特性研究进展与展望.docxVIP

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2025-11-21 发布于上海
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氧化锌薄膜微观结构调控及光电磁特性研究进展与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氧化锌（ZnO）薄膜凭借其独特的物理性质和多样的应用前景，占据着极为重要的地位。ZnO作为一种II-VI族直接宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这种特殊的能带结构赋予了ZnO薄膜一系列优异的性能，使其在光电器件、传感器、太阳能电池等多个关键领域展现出巨大的应用潜力。

在光电器件领域，由于其宽禁带和高激子束缚能，ZnO薄膜是制备紫外发光二极管（UV-LED）和紫外激光器的理想材料。在信息时代，对高功率、高效率的短波长光电