第五章 场效应管.pptVIP

P沟道耗尽型NPPGSDGSD予埋了导电沟道第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日二、MOS管的工作原理以N沟道增强型为例PNNGSDvDSvGSvGS=0时D-S间相当于两个反接的PN结iD=0对应截止区第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日PNNGSDvDSvGSvGS0时vGS足够大时（vGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。感应出电子VT称为开启电压第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日vGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，vGS越大此电阻越小。PNNGSDvDSvGS第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日PNNGSDvDSvGS当vDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。当vDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日PNNGSDvDSvGS夹断后，即使vDS继续增加，ID仍呈恒流特性。iDvDS增加，vGD=VT时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日三、增强型N沟道MOS管的特性曲线转移特性曲线0iDvGSVT第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线iDvDS0iGS0第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管vGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。转移特性曲线0iDvGSVT第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线iDvDS0vGS=0vGS0vGS0第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日五、说明：（1）MOS管由四种基本类型；（2）MOS管的特性与结型场效应管的特性类似；（3）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟道形成；耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负；（4）MOS管的输入阻抗特别高（5）衡量场效应管的放大能力用跨导

单位：ms第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日六、MOS管的有关问题（2）交流参数 低频跨导： 极间电容：栅源电容CGS，栅漏电容CGD，漏源电容CDS（3）极限参数最大漏极电流IDM，最大耗散功率P0M，漏源击穿电压V(BR)DS

栅源击穿电压VBR)GS1、主要参数

（1）直流参数开启电压VT——指增强型的MOS管夹断电压VP——指耗尽型的MOS管零栅压漏极电流IDSS直流输入电阻：通常很大1010~1015Ω左右第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日六、MOS管的有关问题2、场效应管与三极管的比较第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日六、MOS管的有关问题3、使用注意事项（1）结型场效应管的栅源电压不能接反，但可在开路状态下保存；（2）MOS管在不使用时，须将各个电极短接；（3）焊接时，电烙铁必须有外接地线，最好是断电后再焊接；（4）结型场效应管可用万用表定性检测管子的质量，而MOS管必须用专门的仪器来检测；（5）若用四引线的场效应管，其衬底引线应正确连接；第43页，共65页，星期日，2025年，2月5日vGSiD0vDS:N沟道加正压P沟道加负压各种场效应管的转移特性和输出特性对比(a)转移特性IDSSVPIDSSN沟道JFETN沟道增强MOSVTN沟道耗尽MOSP沟道耗尽MOSP沟道增强MOSVTP沟道JFETIDSSVPVPVP第44页，共65页，星期日，2025年，2月5日各种场效应管的转移特性和输出特性对比(b)输出特性结型vGS和vDS相反增强型vGS同vDS同极性耗尽型vGS任意第45页，共65页，星期日，2025年，2月5日?极性放大区条件vDSN沟道管：正极性(vDS0)vDSvGS－VP0P沟道管：负极性(vDS0)vDSVGS－VP0vGS结型管：反极性增强型MOS管：同极性耗尽型MOS管：双极型N沟道管：vGSVP(或VT)P沟道管：vGSVP(或VT)FET放大偏置时vDS与vGS应满足的关系第46页，共65页，星期日，2025年，2月5日第1页，共65页，星期日，2025年，2月5日G(栅极)S源极