第3章继电器及电机的驱动技术.pptVIP

2）用大功率场效应管驱动直流电机VCCVCP10IRFZ407406VCCXM特点——输入阻抗高，通态电阻低，关断漏电流小，响应速度快（导通和关断时间短），与同功率的继电器相比，体积小，价格便宜第29页，共67页，星期日，2025年，2月5日大功率场效应管加OC门驱动直流电机特点——输入阻抗高，关断漏电流小，响应速度快，与同功率的继电器相比，体积小，价格便宜提高驱动电压为提高开关速度加推挽电路第30页，共67页，星期日，2025年，2月5日3）用继电器驱动直流电机+5VDC-SSRR1P1.0VCCXM第31页，共67页，星期日，2025年，2月5日本质上是场效应晶体管，突出特点：3.5IGBT（1）大功率、极高的耐压、极高的过载能力（2）开关速度高（3）导通电阻极小（4）封装尺寸小、许多器件还集成了多种保护措施（5）对驱动电路的要求比较高，需专门的驱动器绝缘栅双极型晶体管第32页，共67页，星期日，2025年，2月5日7路封装模块U,V,W为输出UP,VP,WP为输入第33页，共67页，星期日，2025年，2月5日1、IGBT对驱动电路的要求（1）驱动电路与IGBT连线要尽量短（2）驱动电压前后沿要足够陡（3）正驱动电源一般选取为12V~20V，关断可加一负偏压（4）驱动电路与控制电路必须隔离第34页，共67页，星期日，2025年，2月5日2、IGBT智能功率模块（1）MIG400J101H（2路）用于控制直流电机控制（2）PM100RSE060（7路）多用于交流电机控制，也可用于直流电机集成了驱动和保护电路，使用时只需用光隔驱动即可第35页，共67页，星期日，2025年，2月5日VIN输入低电平时，IGBT导通高电平时，IGBT截止MIG400J101H（2路）图2.23带驱动的2路IGBT模块MIG400J101H的测试电路第36页，共67页，星期日，2025年，2月5日图2.247路IGBT功率模块PM100RSE060的应用电路（三相交流电机变频控制）135462第37页，共67页，星期日，2025年，2月5日UVWPNV1V3V5V2V6V4第38页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.IGBT专用驱动器第39页，共67页，星期日，2025年，2月5日第40页，共67页，星期日，2025年，2月5日第41页，共67页，星期日，2025年，2月5日第42页，共67页，星期日，2025年，2月5日3、IGBT模块使用注意事项（1）IGBT模块的选定模块额定电压按工作电压的3倍左右选择电流按最大静态电流选择，适当留有余量（2）防止静电VGE的耐压值±20V第43页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.6直流电机的正反转控制（1）H桥直流电机正反转控制电路（2）正负供电直流电机正反转控制电路（3）使用继电器换向电路——用于电机停转时换向第44页，共67页，星期日，2025年，2月5日1、H桥直流电机正反转控制电路功率驱动模块可以是达林顿晶体管、功率场效应管或IGBTVCCVCP1.1P10IRF640＋27VV1V2V1V3V4第45页，共67页，星期日，2025年，2月5日第46页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.27用6路IGBT模块的H桥电机控制电路图2、用IGBT智能功率模块组成H桥直流电机正反转控制电路第47页，共67页，星期日，2025年，2月5日第1页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.1直流继电器的驱动及泄流驱动电流较大时，应使用光耦进行隔离（1）用7406、7407、ULN2003/ULN2803等（2）光耦驱动（3）光耦＋20032003/7406图3.1继电器的续流二极管直流继电器泄流第2页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.1直流继电器的驱动及泄流驱动电流较大时，应使用光耦进行隔离（1）用7406、7407、ULN2003/ULN2803等（2）光耦驱动（3）光耦＋20031、微型继电器的驱动第3页，共67页，星期日，2025年，2月5日（1）用7406、7407、ULN200X等直接驱动直流继电器驱动供电电压：+5V、6V、9V、