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探秘AlN与Fe掺杂AlN薄膜:结构、性质及应用前景的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代材料科学与技术领域,薄膜材料因其独特的物理化学性质,在众多应用中扮演着关键角色。氮化铝(AlN)薄膜作为一种重要的宽带隙半导体材料,具有诸多优异性能,使其在电子学、光电子学和传感器等领域展现出广泛的应用前景。
AlN薄膜通常呈现六方晶系的晶体结构,这种结构赋予其较高的热导率,能够有效地传导热量,这一特性在电子器件的散热方面具有重要应用,可显著提高电子设备的稳定性和可靠性。同时,AlN薄膜还具备优良的机械性能,能够承受一定程度的外力作用而不发生明显变形或损坏,这使其成为传感器和微机电系统
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