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1250与1700V 氮化镓 应用于直流800V AIDC人工智能数据中心架构技术白皮书.pdf

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    交流-直流转换

    1250V/1700VPowiGaN™应用于

    800VDC人工智能数据中心架构

    卡马尔·瓦拉达拉詹、刘吉米与李克里斯|电源集成公司，美国

    ©2025PowerIntegrations|

    引言

    基于氮化镓的功率半导体器件凭借其卓越的材料特性，成为高效率电源转换器的理想选择。氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN

    HEMT）已广泛应用于各类商用电源设计，凭借其低损耗快速开关特性，覆盖了广泛的应用领域。

    市面上各厂商提供的商用器件通常额定电压低于200伏，且集中在600伏至650伏区间。在650伏以上电压领域，仅有少数制造商推出了

    额

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