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电子科技大学半导体物理期末考试试卷A试题答案

由于不清楚具体的电子科技大学半导体物理期末考试试卷A的试题，以下我将按照常见的半导体物理考试题型和知识点来生成一套模拟试题及详细答案。

一、选择题（每题3分，共30分）

1.本征半导体中载流子浓度的大小主要取决于（）

A.温度

B.杂质浓度

C.晶体结构

D.外加电场

答案：A。本征半导体中，价带电子获得足够能量跃迁到导带形成电子空穴对，温度是影响这一过程的关键因素。温度升高，热激发加剧，本征载流子浓度增大；而杂质浓度是影响杂质半导体载流子浓度的因素；晶体结构主要影响半导体的一些固有性质但并非本征载流子浓度的主要决定因素；外加电场主要影响载流子的运动，而非产生数量，所以答案选A。

2.在硅中掺入以下哪种杂质可以形成n型半导体（）

A.硼（B）

B.磷（P）

C.铝（Al）

D.镓（Ga）

答案：B。在硅中，硅原子最外层有4个电子。磷（P）最外层有5个电子，当磷掺入硅中时，磷会有一个多余的电子，这个多余电子很容易成为自由电子，使半导体中的电子浓度远大于空穴浓度，形成n型半导体。而硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）最外层有3个电子，掺入硅中会形成空穴，形成p型半导体，所以答案是B。

3.半导体中载流子的迁移率与以下哪个因素无关（）

A.温度

B.杂质浓度

C.载流子有效质量

D.禁带宽度

答案：D。载流子迁移率反映了载流子在电场作用下的运动能力。温度升高，晶格振动加剧，载流子散射增强，迁移率降低；杂质浓度增加，杂质散射增强，迁移率也会降低；载流子有效质量影响载流子在电场中的加速难易程度，从而影响迁移率。而禁带宽度主要与半导体的本征性质、电子跃迁所需能量等相关，与载流子迁移率无关，所以选D。

4.非简并半导体的费米能级与温度和杂质浓度的关系是（）

A.温度升高，费米能级向禁带中央移动

B.杂质浓度增加，费米能级向禁带中央移动

C.温度降低，费米能级向禁带中央移动

D.费米能级与温度和杂质浓度无关

答案：A。对于非简并半导体，温度升高时，本征激发增强，本征载流子浓度增加，费米能级会向禁带中央移动；杂质浓度增加，费米能级会靠近杂质能级，远离禁带中央；温度降低时，杂质电离情况发生变化，费米能级会远离禁带中央。所以答案是A。

5.以下关于半导体中载流子扩散运动的描述，正确的是（）

A.扩散运动是由于载流子的热运动引起的

B.扩散运动方向与载流子浓度梯度方向相同

C.扩散电流与载流子浓度梯度无关

D.扩散运动只存在于非平衡载流子中

答案：A。扩散运动是由于载流子的热运动导致载流子从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，A正确。扩散运动方向与载流子浓度梯度方向相反，B错误；扩散电流与载流子浓度梯度成正比，C错误；扩散运动既存在于非平衡载流子中，也存在于平衡载流子中，D错误。

6.半导体中陷阱中心的作用是（）

A.增加载流子复合率

B.存储非平衡载流子

C.提高载流子迁移率

D.降低半导体的电阻率

答案：B。陷阱中心具有存储非平衡载流子的作用。当半导体中存在非平衡载流子时，陷阱中心可以俘获这些载流子，起到存储的作用。它不一定会增加载流子复合率，对载流子迁移率和半导体电阻率也没有直接的提高或降低作用，所以选B。

7.对于pn结，以下说法正确的是（）

A.正偏时，pn结的空间电荷区变宽

B.反偏时，pn结的电流主要是扩散电流

C.正偏时，pn结的电流主要是漂移电流

D.反偏时，pn结的空间电荷区变宽

答案：D。pn结正偏时，外加电压削弱了内建电场，空间电荷区变窄，电流主要是扩散电流；反偏时，外加电压增强了内建电场，空间电荷区变宽，电流主要是漂移电流，且数值很小。所以答案是D。

8.半导体的光学吸收中，本征吸收的条件是（）

A.光子能量小于禁带宽度

B.光子能量等于禁带宽度

C.光子能量大于禁带宽度

D.与光子能量无关

答案：C。本征吸收是指价带电子吸收光子能量跃迁到导带，要实现这一过程，光子能量必须大于禁带宽度，才能使电子有足够能量跨越禁带，所以选C。

9.以下哪种效应不是半导体的热电效应（）

A.塞贝克效应

B.珀耳帖效应

C.霍尔效应

D.汤姆逊效应

答案：C。塞贝克效应是两种不同导体或半导体组成回路，在两结点温度不同时产生电动势；珀耳帖效应是电流通过两种不同导体或半导体的结点时，结点处会有吸放热现象；汤姆逊效应是指在存在温度梯度的均匀导体中，除了产生不可逆的焦耳热外，还要吸收或放出一定的热量。而霍尔效应是指在磁场作用下，载流子在半导体中产生横向电压，它不属于热电效应，所以选C。

10.对于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），以下说法错误的是（）

A.可以