CoFeB_GaAs薄膜磁各向异性与阻尼因子：微观机制与应用前景.docx

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2025-11-20 发布于上海
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CoFeB/GaAs薄膜磁各向异性与阻尼因子：微观机制与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，近年来在学术界和工业界都受到了广泛的关注。它利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，有望突破传统微电子学的瓶颈，为未来的信息技术发展带来新的机遇。在自旋电子学的众多研究方向中，铁磁薄膜与半导体的异质结构由于其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了研究的热点之一。

CoFeB作为一种典型的铁磁材料，具有较高的饱和磁化强度、较低的矫顽力和良好的软磁性能。同时，它还可以通过与其他材料形成异质结构，实现自旋相关的物理效应，如自旋注入、自旋转移力矩等。GaAs