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《热加工工艺》年月第卷第期
20194487
TiSiC陶瓷/Fe扩散连接接头强度及断裂行为
32
尹孝辉张向忠
,
安徽工业大学材料科学与工程学院安徽马鞍山
(,243002)
摘要:在连接温度、保温时间、压力的条件下对陶瓷和进行真
850~1050℃60~120min10~20MPaTiSiCFe
32
空扩散连接。用剪切实验评价陶瓷与扩散连接接头强度,并利用扫描电子显微镜()、能谱仪()观察
TiSiCFeSEMEDS
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分析断口形貌和成分,分析连接工艺参数对接头剪切强度和反应层厚度的影响。结果表明:随着连接温度的升高和保温
时间的增加,接头的剪切强度先增加后降低。
关键词:陶瓷;扩散连接;剪切强度
TiSiC
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DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.2019.07.005
中图分类号:+文献标识码:文章编号:
TG453.9A
StrengthandFractureBehaviorofTiSiCCeramics/FeDiffusionBondingJoint
32
YINXiaohui,ZHANGXiangzhong
:
AbstractVacuumdiffusionbondingofTiSiC
32
850-1050
℃SiC
32
:
KeywordsTiSiCceramics;diffusionbonding;shearstrength
32
陶瓷作为新型的层状结构陶瓷,因其具上。本文选择应用广泛的金属与陶瓷进
TiSiCFeTiSiC
3232
有低密度、高强度、良好的抗热震性能和抗高温氧化行连接,研究不同扩散连接工艺参数对TiSiC/Fe
32
[1-2]
性的优点,在高温
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