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《热加工工艺》年月第卷第期

20194487

TiSiC陶瓷/Fe扩散连接接头强度及断裂行为

32

尹孝辉张向忠

,

安徽工业大学材料科学与工程学院安徽马鞍山

(,243002)

摘要:在连接温度、保温时间、压力的条件下对陶瓷和进行真

850~1050℃60~120min10~20MPaTiSiCFe

32

空扩散连接。用剪切实验评价陶瓷与扩散连接接头强度,并利用扫描电子显微镜()、能谱仪()观察

TiSiCFeSEMEDS

32

分析断口形貌和成分,分析连接工艺参数对接头剪切强度和反应层厚度的影响。结果表明:随着连接温度的升高和保温

时间的增加,接头的剪切强度先增加后降低。

关键词:陶瓷;扩散连接;剪切强度

TiSiC

32

DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.2019.07.005

中图分类号:+文献标识码:文章编号:

TG453.9A

StrengthandFractureBehaviorofTiSiCCeramics/FeDiffusionBondingJoint

32

YINXiaohui,ZHANGXiangzhong

AbstractVacuumdiffusionbondingofTiSiC

32

850-1050

℃SiC

32

KeywordsTiSiCceramics;diffusionbonding;shearstrength

32

陶瓷作为新型的层状结构陶瓷,因其具上。本文选择应用广泛的金属与陶瓷进

TiSiCFeTiSiC

3232

有低密度、高强度、良好的抗热震性能和抗高温氧化行连接,研究不同扩散连接工艺参数对TiSiC/Fe

32

[1-2]

性的优点,在高温

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