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《热加工工艺》2015年9月第44卷第l8期

氮化硼基电器用导电陶瓷的制备及性能研究

方振龙

f长春职业技术学院，吉林长春130033)

摘要：以微米h-BN和TiB为主要原料，以微米Y：O3、A1N以及Si3N为添加剂，采用热压烧结工艺制备了氮化

硼基电器用导电陶瓷材料，并分析了烧结样品的体积密度、弯曲强度、硬度以及导电性能。结果表明，当微米h-BN添加

量为48wt％，TiB2为16wt％，Y203为4wt％，A1N为16wt％，Si3N,为16wt％~l，所制备的导电陶瓷材料性能最佳，体积密

度2．69g·cm，弯曲强度139．5MPa，硬度199．7kgf／mm，电阻率为595n·cm。

关键词：微米h．BN；微米TiB2；晶界相；热压烧结；导电性能

DOI：10．14158／j．cnki．1001-3814．2015．18．032

中图分类号：TB33；TP2l1文献标识码：A文章编号：1001—3814(2015)18—011l—O4

StudyonPreparationandPropertiesofBoronNitrideBasedConductiveCeramic

FANGZhenlong

(ChangchunVocationalInstituteofTechnology，Changchun130033，Chma)

Abstract：Boronnitridebasedconductiveceramicwasfabricatedwithhot-pressingsinteringtechniquebyusingmicro

h．BNandTiB2asmainmaterialandY2O3，A1NandSi3N4asadditives．Thepropertiesofbulkdensity，flexuralstrength，

hardnessandconductivepropertyweretested．Theresultsshowthatwhenthecontentofmicroh-BNis48wt％，TiB2is

16wt％，Y203is4wt％，A1Nis16wt％nadSi3N4is16wt％，htepreparedboronnitridebasedmaterialcanachievehtebest

properties．Thebulkdensiyt，flexuralstrength，harndessandconductivepropertyofboronnitridebasedconductiveceramicis

2．69g·cm，139．5MPa，199．7kgffmm2and595OA-I·em，respectively．

Keywords：microh-BN；microTiB2；grainboundaryphase；hot-pressingsintering；conductiveproperties

随着工业的的发展．电子印刷电路板已成为一的硬度和脆性9[-Ⅷ利用热压烧结方法将h．BN和

种不可或缺的电子部件。自20世纪90年代以来，世TiB：结合起来，可赋予材料更加优异的性能，更适

界各国已逐渐将印刷电路板改称为电子基板，标志合应用于电路基板导电材料…2】。

着传统的印刷电路板已进人了多层基板时代【】。电鉴于此，本文以微米h-BN和TiB2为主要原料，

路基板，按电路基板所采用的材料，可分为无机基板采用热压烧结工艺制备了氮化硼基电器用导电陶瓷

材料、有机基板材料以及复合基板材料三大类】。传材料。分析了烧结样品的体积密度、弯曲强度、硬度

统无机基板以AlO、SiC、BeO和