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MBE外延ZnO薄膜：晶体质量提升策略与能带工程解析.docx

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    MBE外延ZnO薄膜：晶体质量提升策略与能带工程解析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代光电器件领域，ZnO薄膜凭借其独特的物理性质，展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的焦点之一。ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，室温下的禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这一特性使得ZnO在室温下能够实现高效的激子复合发光，为其在短波长光电器件中的应用奠定了坚实的基础。例如，在紫外发光二极管（UV-LED）和紫外激光器等器件中，ZnO薄膜有望发挥重要作用，实现高效的紫外光发射，满足生物医疗、环境监测、信息加密等领域对紫外光源的需求。

    ZnO薄膜还具有良好的压电性

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