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Be、Mg掺杂对ZnO基半导体材料结构与电学性质的影响：基于第一性原理的理论剖析.docx

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    Be、Mg掺杂对ZnO基半导体材料结构与电学性质的影响：基于第一性原理的理论剖析

    一、引言

    1.1ZnO基半导体材料概述

    ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，在半导体领域中占据着举足轻重的地位。它具有六方纤锌矿晶体结构，这种独特的晶体结构赋予了ZnO许多优异的本征特性。其密度为5.679g/cm3，空间群为P63MC，Zn的六角密堆积和O的六角密堆积在c轴方向反向嵌套，晶格常数a=0.3249nm，c=0.521nm，α=β=90°，γ=120°，Zn原子位于4个相邻O原子形成的四面体间隙，O原子的排列情况与Zn相似

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