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2025半导体产业晶圆制造工艺模拟考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪项是深紫外（DUV）光刻机的典型光源波长？

A.193nm

B.13.5nm

C.248nm

D.365nm

答案：A（DUV主流光源为ArF准分子激光，波长193nm；248nm为KrF光源，属于传统紫外；13.5nm为极紫外EUV；365nm为g-line光源。）

2.化学气相沉积（CVD）中，用于制备铜互连阻挡层的常见材料是？

A.SiO?

B.TaN

C.Poly-Si

D.Al?O?

答案：B（铜互连需阻挡层防止铜扩散，TaN是常用扩散阻挡层材料；SiO?为绝缘层，Poly-Si为多晶硅，Al?O?多用于高K介质。）

3.以下哪种刻蚀工艺属于各向异性刻蚀？

A.湿法刻蚀

B.反应离子刻蚀（RIE）

C.化学刻蚀

D.电化学刻蚀

答案：B（RIE通过等离子体物理轰击实现垂直刻蚀，各向异性；湿法刻蚀依赖化学反应，多为各向同性。）

4.离子注入后进行退火的主要目的是？

A.去除光刻胶

B.修复晶格损伤并激活掺杂原子

C.降低薄膜应力

D.提高表面平整度

答案：B（离子注入会破坏晶格，退火通过加热使原子重排，修复损伤并激活掺杂原子的电活性。）

5.化学机械抛光（CMP）中，以下哪项不是抛光液的关键成分？

A.磨料（如SiO?颗粒）

B.腐蚀剂（如H?O?）

C.表面活性剂

D.光刻胶

答案：D（CMP抛光液含磨料、化学腐蚀剂、表面活性剂等，光刻胶是光刻工艺材料，与CMP无关。）

6.极紫外（EUV）光刻的最大挑战是？

A.光源功率不足

B.掩膜版成本低

C.光刻胶灵敏度低

D.光学系统反射率高

答案：A（EUV光源需高功率且稳定，当前技术仍存在功率不足问题；掩膜版成本极高，光刻胶需高灵敏度，EUV光学系统因波长短反射率低。）

7.以下哪种薄膜沉积技术可实现原子级厚度控制？

A.物理气相沉积（PVD）

B.低压化学气相沉积（LPCVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

答案：C（ALD通过自限制反应逐层生长，可精确控制到单原子层；PVD、LPCVD、PECVD均为连续沉积，厚度控制精度低于ALD。）

8.2nm工艺节点中，栅极结构通常采用？

A.多晶硅栅+SiO?介质

B.金属栅+高K介质（HKMG）

C.铝栅+Si?N?介质

D.铜栅+SiO?介质

答案：B（2nm节点需降低栅极漏电流，采用高介电常数（高K）介质替代传统SiO?，并搭配金属栅（HKMG）以优化功函数。）

9.以下哪项是衡量光刻分辨率的关键公式？

A.瑞利判据：R=k?λ/NA

B.欧姆定律：V=IR

C.泊松方程：?2φ=-ρ/ε

D.肖克利方程：I=I?(e^(qV/kT)-1)

答案：A（瑞利判据用于计算光刻分辨率，R为分辨率，λ为光源波长，NA为数值孔径，k?为工艺因子。）

10.湿法清洗工艺中，SC-1溶液（标准清洗1号）的主要成分是？

A.H?SO?+H?O?

B.NH?OH+H?O?+H?O

C.HCl+H?O?+H?O

D.HF+H?O

答案：B（SC-1溶液为氨水（NH?OH）、双氧水（H?O?）和水的混合液，用于去除颗粒污染物；SC-2为HCl+H?O?+H?O，去除金属离子。）

11.以下哪种工艺用于形成浅沟槽隔离（STI）？

A.离子注入+退火

B.光刻+刻蚀+氧化+填充+抛光

C.化学气相沉积+光刻

D.物理气相沉积+退火

答案：B（STI流程：光刻定义沟槽区域→刻蚀硅衬底形成沟槽→热氧化形成衬垫氧化层→CVD填充SiO?→CMP抛光平坦化。）

12.多晶硅栅极刻蚀时，常用的刻蚀气体是？

A.Cl?/O?

B.CF?

C.SF?

D.HBr/O?

答案：D（多晶硅刻蚀需高选择比，HBr/O?等离子体可有效刻蚀多晶硅，同时对SiO?掩膜版损伤小；Cl?/O?用于金属刻蚀，CF?用于SiO?刻蚀。）

13.以下哪项是衡量刻蚀工艺选择比的定义？

A.刻蚀速率与时间的比值

B.目标材料刻蚀速率与掩膜材料刻蚀速率的比值

C.刻蚀后线条宽度与原设计宽度的比值

D.刻蚀深度与刻蚀时间的比值

答案：B（选择比=目标材料刻蚀速率/掩膜/底层材料刻蚀速率，高选择比可避免过度刻蚀掩膜或底