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电子设备制造的职业病危害因素识别与防护

芯片制造业作为微电子的核心，已经成为现代技发展的主要动力。

芯片指集成电路，它是微电子技术的主要产品，微电子业以集成电路技术为核心，包括

集成电路的设计、制造。以下针对芯片制造过程中的职业病危害因素进行识别，并制

定职业病危害防治要点及采取的职业病危害防护措施。

一、主要原、辅材料

芯片制造过程中，使用到的气体及液体化学物质种类较多且成分复杂,部分化学

物质为高毒物品、致癌物，还有一部分特种化学物质在我国尚未有对应的检测方法

及职业接触限值。

主要原、辅材料包括：氯、氟化物、氢氟酸、碑化氢、磷化氢、硫化氢、氨、

一氧化碳、乙硼烷、漠化氢、氯化氢、二氧化碳、一氧化氮、硼酸、氢氧化钠、氢

氧化钾、硫酸、过氧化氢、乙酸、磷酸、异丙醇、乙二醇、丙酮、高纯六氟化硫

等。

二、生产工序

电子芯片制备工序流程，如图1所示。

扩散：给包含化学物质的气体注入超高温的热量利用热能诱发化学

物质的重新组合在硅片表面镀膜。

光刻：利用光刻胶在硅片的指定位置进行图形转换作业。以便进行后续的离子注

入或干法、湿法刻蚀。

离子注入：半导体工程中形成晶体管及沟道时，在硅片特定位置注入离子。

湿法工艺:与干法刻蚀类似。但是向硅片注入的不是气体，而是化学溶液。另外，

对硅片的特定位置，通过化学溶液的化学反应去除硅片表面的保护层或者光刻胶，进

行清洗。

刻蚀：为了在硅片上形成满足不同要求的区域，需要注入包含化学物质的气体及

高频等离子。利用气体再反应，进行刻蚀的工程。

薄膜：利用热或者光，给包含化学物质的气体增加能量将等离子附看在硅片表

面。

金属化；为了在硅片上设置金属连接线，把金属物通过溅射方式固定在硅片表

面，如物理气相沉积。

机械抛光：硅片表面平整度因各种刻蚀及沉积膜的原因，变化较大。为此，会通

过物理打磨,对硅片表面遂行平整处理。

测试：在半导体制作过程，按先后顺序通过特殊仪器，对各工序内硅片的正品

及不良产品进行检测。

三、职业病危害因素

扩散：磷化氢、碑化氢、氯化氢、氢氟酸、氟化物、乙硼烷、二氧化氮、噪声；

光:氟化物、乙酸乙酯、丙酮、噪声、紫外辐射;

离子注入：X射线、高频电磁场、噪声；

清洗：硫酸、异丙醇、氢氟酸、氟化物、硝酸、乙酸、磷酸、丙酮、二氧化

碳、氢氧化钾、过氧化氢、噪声;

刻蚀：氢氟酸、氟化物、磷酸、硝酸、乙酸、高纯六氟化硫、氯气、溟化氢、

磷化氢、一氧化碳、乙硼烷、噪声;

薄膜；氨、乙二醇、噪声；

金属化：高频电磁场、噪声；

化学、机械抛光：二氧化碳、过氧化氢、乙酸、噪声。

磷酸：磷酸具有类似刺激性气体的作用,可引起眼结膜刺激症状及呼吸道刺激症

状，表现为流泪、流涕、咽痛、胸闷、咳嗽，重症者可出现化学性肺炎或肺水肿。

磷化氢：磷化氢属于高毒类，人接触1.4~4.2mg/m3磷化氢可闻到气味才妾

A

触10mg/m3、6h出现毒症状，在409〜846mg/m,吸入0.5〜1h可致

死。

急性毒早期主要表现为神经系统和呼吸系统症状。枢神经系统障碍有头痛、

头晕、乏力、失眠、精神不振、烦躁、复视、共济失调。严重者表现为意识障碍、昏

迷、抽搐等。呼吸系统表现有鼻咽发干、咽部充血、咳嗽、气短、胸闷、发名甘，严重

者出现肺水肿。此外，早期出现血压降低甚至休克。心肌受损较为多见。肾脏损害一

般较轻，少数病人尿检出红、白细胞，个别严重者出现少尿，急性肾功能衰竭。

氯化氢：接触氯化氢气体或盐酸烟雾后迅速出现眼和上呼吸道刺激症状,眼脸红

肿，结膜充血水肿，鼻、咽部有烧灼感及红肿，甚至发生喉挛、喉头水肿，严重者则

引起化学性炎和肺水肿。皮肤受氯化氢气霎刺激后