探秘铁磁_n型GaAs量子阱界面：铁磁近邻极化增强与自旋动力学.docx

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2025-11-07 发布于上海
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探秘铁磁/n型GaAs量子阱界面：铁磁近邻极化增强与自旋动力学

一、引言

1.1研究背景与意义

自旋电子学作为一门新兴学科，近年来取得了显著的进展，成为凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。它不仅为传统电子学带来了新的发展机遇，也为解决能源、信息和环境等领域的关键问题提供了潜在的解决方案。自旋电子学的核心在于利用电子的自旋属性，通过对自旋的精确控制和操纵，实现高效的信息处理、存储和传输，从而为未来的信息技术发展奠定基础。在自旋电子学的研究中，半导体材料，尤其是量子阱结构，展现出了独特的优势和潜力。

GaAs作为一种典型的半导体材料，具有优异的电子迁移率、光学性质和成熟的制备工艺，使其成为