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低压双电层氧化物薄膜晶体管：原理、制备与应用的深度探索.docx

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    低压双电层氧化物薄膜晶体管：原理、制备与应用的深度探索

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代电子技术飞速发展的进程中，电子设备正朝着小型化、轻量化、高性能以及低功耗的方向不断迈进，薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为构成各类电子器件的核心元件之一，其性能的优劣直接影响着电子设备的整体表现。低压双电层氧化物薄膜晶体管（Low-VoltageElectric-Double-LayerOxideThin-FilmTransistor），作为薄膜晶体管领域的新兴研究方向，凭借其独特的结构和工作原理，在降低工作电压、提高器件性能以及拓展应用领

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