第5章 频率响应.pptVIP

图5–18共集–共基组态差分放大器第62页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–19用于集成电路输入级的共集–共基第63页，共104页，星期日，2025年，2月5日5–6场效应管放大器的高频响应5–6–1场效应管的高频小信号等效电路无论是MOS管或结型场效应管，其高频小信号等效电路都可以用图5–20所示的模型表示。图中，Cgs表示栅、源间的极间电容，Cgd表示栅、漏间的极间电容，Cds表示漏、源间的极间电容。第64页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–20场效应管的高频小信号等效电路第65页，共104页，星期日，2025年，2月5日5–6–2场效应管放大器的高频响应典型的场效应管共源放大器电路如图5–21(a)所示，其高频小信号等效电路如图5–21(b)所示。第66页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–21场效应管放大器及其高频小信号等效电路(a)放大电路；(b)等效电路第67页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–21场效应管放大器及其高频小信号等效电路(a)放大电路；(b)等效电路第68页，共104页，星期日，2025年，2月5日由图5--21(b)可见，Cgd是跨接在放大器输入端和输出端之间的电容。应用密勒定理作单向化处理，可将Cgd分别等效到输入端(用CM表示)和输出端(用C′M表示)，如图5–22所示。其中:(5–40)(5–41)第69页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–22场效应管共源放大器单向化模型第70页，共104页，星期日，2025年，2月5日(5–42)(5–43)(5–44)(5–45)(5–46)第71页，共104页，星期日，2025年，2月5日上述分析结果显示：(1)要提高fH,必须选择Cgs,Cgd,Cds小的管子。(2)fH高和AuIs大是一对矛盾，所以在选择RD时要兼顾fH和AuIs的要求。(3)由于Ci(=Cgs+CM)的存在，希望有恒压源激励，即要求源电阻Rs小。共漏电路、共栅电路以及场效应管差分放大器的高频响应分析方法和晶体管电路的十分相似，在此不予重复。第72页，共104页，星期日，2025年，2月5日

5–7放大器的低频响应

5–7–1阻容耦合放大器的低频等效电路阻容耦合共射放大器电路如图5–23(a)所示。在低频区，随着频率的下降，电容C1、C2、CE呈现的阻抗增大，其分压作用不可忽视，故画出低频等效电路如图5–23(b)所示。第73页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–7密勒定理及等效阻抗(a)原电路；(b)等效后的电路第30页，共104页，星期日，2025年，2月5日(5–14)(5–15)第31页，共104页，星期日，2025年，2月5日(5–16)(5–17)(5–19a)(5–18)(5–19b)第32页，共104页，星期日，2025年，2月5日(5–20)(5–21?)(5–22)利用图5–8(b)的单向化简化模型，我们很快可以估算出电路的频率响应和上限频率fH。第33页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–8密勒等效后的单向化等效电路(a)单向化模型；(b)进一步的简化等效电路第34页，共104页，星期日，2025年，2月5日三、高频增益表达式及上限频率由图5–8(b)可见(5–23)(5–24)第35页，共104页，星期日，2025年，2月5日(5–25a)(5–25b)(5–26)(5–27)(5–28)第36页，共104页，星期日，2025年，2月5日根据式(5–26)、(5–27)画出单级共射放大器的幅频特性和相频特性分别如图5–9(a),(b)所示。在半功率点处对应的附加相移为-45°，而当频率f≥10fH以后，附加相移趋向于最大值(-90°)。第37页，共104页，星期日，2025年，2月5日图5–9考虑管子极间电容影响的共射放大器频率响应(a)幅频特性；(b)相频特性；(c)幅频特性波特图；