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②光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。IV照度增加*第28页，共52页，星期日，2025年，2月5日③发光二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。*第29页，共52页，星期日，2025年，2月5日3.双极型晶体管(半导体三极管)1）基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型*第30页，共52页，星期日，2025年，2月5日BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管*第31页，共52页，星期日，2025年，2月5日（1）输入特性IB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE?1V死区电压:硅管0.5V，锗管0.2V。导通电压UBE(on)：硅管UBE(on)?0.6~0.7V,锗管UBE(on)?0.2~0.3V。*第32页，共52页，星期日，2025年，2月5日（2）输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）；发射结正偏，集电结反偏。当UCE大于一定的数值时IC只与IB有关，IC=?IB。*第33页，共52页，星期日，2025年，2月5日IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中UCE?UBE,发射结、集电结均正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。*第34页，共52页，星期日，2025年，2月5日IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE死区电压，称为截止区。此时，发射结、集电结均反偏。*第35页，共52页，星期日，2025年，2月5日小结：1.三极管有三个工作区：放大区、饱和区和截止区；2.三极管工作在放大区时：发射结正偏，集电结反偏；对NPN管，集电极（c）的电位最高，基极（b）电位其次，发射极（e）电位最低；对PNP管，集电极（c）的电位最低，基极（b）电位其次，发射极(e)电位最高；*第36页，共52页，星期日，2025年，2月5日3.三极管工作在饱和区时：发射结和集电结都正偏；对NPN管，基极（b）的电位最高，集电极（c）和发射极（e）的电位都低于基极（b）的电位；对PNP管，基极（b）的电位最低，集电极（c）和发射极(e)电位都高于基极（b）的电位；4.三极管工作在截止区时：发射结和集电结都反偏；对NPN管，基极（b）的电位最低，集电*第37页，共52页，星期日，2025年，2月5日电子电路辅导课件*第1页，共52页，星期日，2025年，2月5日电子技术由模拟电子技术和数字电子技术两部分构成。两者的区别在于所处理的信号不同：前者处理的是模拟信号（在时间上或数值上连续变化的信号），相应的电路称为模拟电路；后者处理的是数字信号（在时间上或数值上都是不连续的，即所谓离散的信号），相应的电路称为数字电路。*第2页，共52页，星期日，2025年，2月5日1.半导体基本知识和PN结1）导体、半导体和绝缘体物质按其导电性能分类,可分为导体、绝缘体和半导体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。其内部存在有两种载流子：自由电子和空穴。在常态下，它们的导电能力很弱，更接近于绝缘体；但在掺入杂质(其它元素)、受热、光照或受到其它条件影响后，它的导电能力将明显增强而接近于导体。一、半导体基础和常用半导体器件*第3页，共52页，星期日，2025年，2月5日半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质（其它元素），会使它的导电能力明显改变。*第4页，共52页，星期日，2025年，2月5日通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，它们共用一对价电子。*第5页，共52页，星期日，2025年，2月5日