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2025年(完整版)电子技术基础(模拟部分)试卷二及答案.docx

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    2025年(完整版)电子技术基础(模拟部分)试卷二及答案

    一、单项选择题（每小题2分，共20分）

    1.某硅二极管正偏时测得电压为0.6V，反偏时电流为5μA，若环境温度升高10℃，则正偏电压约为（）。

    A.0.5VB.0.6VC.0.7VD.0.8V

    2.某NPN型三极管的共射极放大电路中，测得集电极电位等于电源电压，可能的故障是（）。

    A.发射结短路B.集电结短路C.集电极电阻开路D.基极电阻开路

    3.场效应管放大电路中，若栅源电压UGS=0时漏极电流ID=0，当UGS为负时出现ID，则该管为（）。

    A.N沟道增强型MOS管

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