第14章半导体器件1.pptVIP

半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。第29页，共64页，星期日，2025年，2月5日14.3.2伏安特性1.正向特性实验曲线uEiVmA2.反向特性uEiVuA硅：0.5V锗：0.1V导通压降开启电压击穿电压UBR锗硅：0.7V锗：0.3V反向饱和电流二极管的特性对温度很敏感，环境温度升高时，二极管正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。第30页，共64页，星期日，2025年，2月5日14.3.3主要参数1.最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。3.反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压URWM一般是UBR的一半。2.反向工作峰值电压URWM保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。为U(BR)/24.反向电流IRM指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。第31页，共64页，星期日，2025年，2月5日例:图中电路，输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源-12V。VY=+2.7V解：DA优先导通，DA导通后，DB上加的是反向电压，因而截止。DA起钳位作用，DB起隔离作用。二极管的应用例1：-12VVAVB+3V0VDBDAVY判断二极管导通还是截止的原则：先将二极管断开，然后观察或计算二极管正、负两极间是正向电压还是反向电压，若正向则导通，否则截止。第32页，共64页，星期日，2025年，2月5日例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，(1)若ui为4V的直流信号，试计算电路的电流I和输出电压uo,(2)如果ui为幅度为±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，试分析电路并画出相应的输出电压波形。解：（1）当ui=4v时，二极管导通二极管的应用例2：+--+UREFIuiRuo第33页，共64页，星期日，2025年，2月5日0-4V4Vuit2V2Vuot（2）解：①当ui2v时，二极管截止；②当ui2v时，二极管导通；uo=ui；uo=UREF=2v.+--+UREFIuiRuo第34页，共64页，星期日，2025年，2月5日14.4稳压二极管UIIZIZmax?UZ?IZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。UZ动态电阻：rz越小，稳压性能越好。正向同二极管符号：工作条件：反向击穿稳压管工作于反向击穿区。稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。第35页，共64页，星期日，2025年，2月5日（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。（5）最大允许功耗稳压二极管的参数:（1）稳定电压UZ（2）电压温度系数?U（%/℃）稳压值受温度变化影响的的系数。（3）动态电阻第36页，共64页，星期日，2025年，2月5日稳压二极管的应用例3：稳压管的技术参数:负载电阻RL＝600Ω，求限流电阻R取值范围。解：由电路可得+UZ-IZDZRILIR+Ui=15V-RL第37页，共64页，星期日，2025年，2月5日半导体三极管又称晶体三极管，简称晶体管或三极管。在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型三极管，简记为BJT（英文Bipo1arJunctionTransistor的缩写）。它的基本功能是具有电流放大作用。三极管属于电流控制型器件。14.5双极型晶体管第38页，共64页，星期日，2025年，2月5日14.5.1基本结构NNP集电极C基极B发射极ENPN注：符号中箭头的方向表示发射结正偏时发射极电流的方向。基区，电极称为基极B（Base）发射区，电极称为