低维Ⅲ-Ⅴ族半导体与二维WSe₂材料声子和激子特性的深度剖析与比较.docx

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2025-10-26 发布于上海
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低维Ⅲ-Ⅴ族半导体与二维WSe?材料声子和激子特性的深度剖析与比较

一、绪论

1.1研究背景与意义

低维半导体和二维材料作为现代材料科学领域的研究热点，展现出了独特的物理性质和广泛的应用前景。低维Ⅲ-Ⅴ族半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，由于其高电子迁移率、直接带隙等特性，在光电器件、高速电子器件以及高频微波器件中占据重要地位。二维材料，特别是过渡金属硫族化合物中的二硒化钨（WSe?），因其原子级厚度的层状结构和独特的电学、光学性质，成为构建下一代高性能电子和光电器件的理想候选材料。

声子和激子作为半导体材料中的基本元激发，对材料的物理性质起着关键作用。声子是晶格振动的量