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Cr掺杂对ZnO薄膜结构与性能的影响机制及应用潜力探究.docx

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    Cr掺杂对ZnO薄膜结构与性能的影响机制及应用潜力探究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    氧化锌（ZnO）作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体材料，在室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于室温热能（26meV）。这些优异的特性使得ZnO薄膜在众多领域展现出巨大的应用潜力。在光电子领域，凭借其良好的光电性能，ZnO薄膜可用于制造紫外探测器，能高效探测紫外线，在环境监测、生物医疗等方面发挥重要作用；还可应用于发光二极管（LED），为实现高效、节能的照明提供了新的选择，有望推动照明行业的变革。在能源领域，ZnO薄膜在太阳能电池中可用作透明导电电极

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