封装缺陷之破坏性评价芯片封装与测试00课件.pptxVIP

封装缺陷之破坏性评价《芯片封装与测试》主讲人：董海青

封装缺陷之破坏性评价破坏性评价会破坏部分或全部封装的缺陷和失效分析方法，包括密封料的分析测试、开封、各种手段对内部进行检查以及选择性剥层。

封装缺陷之破坏性评价密封材料的分析测试，包括硬度测试和红外光谱分析，可以揭示塑封料的固化质量。硬度测试可以显示塑封料的固化硬度。红外光谱分析可以反映出材料的成分是不是改变或是否没有完全固化或过固化的情况。

封装缺陷之破坏性评价开封可以观察并定位多数的器件缺陷或失效。开封方法主要包括化学方法、热机械法和等离子刻蚀法。化学开封主要是封装体表面凹槽滴入腐蚀液。热机械开封市高温下让芯片和塑封料分离。

封装缺陷之破坏性评价开封后可以使用多种方法进行内部检查，主要包括：光学显微镜技术、电子显微技术、红外显微技术和X射线荧光光谱技术。确定失效原因和失效机理要全面考试失效位置、形态及封装工艺等。

封装缺陷之破坏性评价光学显微技术是基本的检测技术。一般使用金相显微镜。扫描声光显微技术基于超声波在各种材料中的反射和传输特性成像。

封装缺陷之破坏性评价X射线显微技术的优点是对于具有一定厚度的穿透性，因此可以在芯片封装的自然状态下进行检测。但是有可能会改变封装的某些电学特性。因此测试封装的电学特性时不能使用X射线检测技术。

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