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模拟电子技术测试题+答案

一、选择题（每题3分，共30分）

1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度

B.杂质浓度

C.掺杂工艺

D.晶体缺陷

答案：B。在杂质半导体中，多数载流子是由杂质原子提供的，所以其浓度主要取决于杂质浓度。温度对载流子浓度也有影响，但主要影响的是少数载流子浓度；掺杂工艺是实现掺杂的手段，不是决定多数载流子浓度的主要因素；晶体缺陷会影响半导体性能，但不是决定多数载流子浓度的关键。

2.二极管正向电压从0.7V增大10%时，电流增大（）

A.10%

B.大于10%

C.小于10%

D.不变

答案：B。二极管的伏安特性是非线性的，其正向电流与正向电压呈指数关系，当正向电压有一个较小的增加时，电流会有较大幅度的增加，所以正向电压从0.7V增大10%时，电流增大大于10%。

3.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明该放大电路的输出电阻为（）

A.2kΩ

B.3kΩ

C.4kΩ

D.12kΩ

答案：C。根据放大电路输出电阻的计算公式，设输出电阻为$R_{o}$，负载电阻为$R_{L}$，开路输出电压为$U_{o}$，带负载输出电压为$U_{oL}$，则$U_{oL}=\frac{R_{L}}{R_{L}+R_{o}}U_{o}$，代入数据$3=\frac{12}{12+R_{o}}\times4$，解得$R_{o}=4kΩ$。

4.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（）

A.共射电路

B.共基电路

C.共集电路

D.共集共基串联电路

答案：C。共集电路的输入电阻高，输出电阻低，具有电压跟随特性，能够实现高内阻信号源与低阻负载的匹配，将信号源的信号有效地传送到负载上。共射电路电压放大倍数大，但输入输出电阻特性不适合这种匹配；共基电路输入电阻低，不适合高内阻信号源；共集共基串联电路主要用于改善高频特性等，不是用于这种阻抗匹配。

5.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）

A.可获得较高增益

B.可使温漂小

C.集成工艺难于制造大容量电容

D.可以增大输入电阻

答案：C。在集成电路制造工艺中，制造大容量电容比较困难，所以集成运放电路采用直接耦合方式来连接各级电路，而不是采用电容耦合等方式。直接耦合虽然存在温漂问题，但不是因为可使温漂小才采用；直接耦合与获得较高增益和增大输入电阻没有直接关系。

6.在单管放大电路中，若输入电压为正弦波，用示波器观察$u_{o}$和$u_{i}$的波形，当放大电路为共射电路时，$u_{o}$和$u_{i}$的相位（）

A.同相

B.反相

C.相差90°

D.不确定

答案：B。共射放大电路的电压放大倍数为负值，这意味着输出电压与输入电压相位相反，即$u_{o}$和$u_{i}$的相位反相。

7.负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）

A.输入信号所包含的干扰和噪声

B.反馈环内的干扰和噪声

C.反馈环外的干扰和噪声

D.输出信号中的干扰和噪声

答案：B。负反馈是通过将输出信号的一部分反馈到输入端来改善放大电路性能的，它只能抑制反馈环内的干扰和噪声。对于输入信号本身包含的干扰和噪声以及反馈环外的干扰和噪声，负反馈无法起到抑制作用。虽然输出信号中的干扰和噪声有一部分在反馈环内，但表述不如“反馈环内的干扰和噪声”准确。

8.某场效应管的$I_{DSS}$为6mA，而$I_{D}$Q自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）

A.P沟道JFET

B.N沟道JFET

C.P沟道耗尽型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

答案：D。$I_{DSS}$是场效应管的饱和漏极电流，对于耗尽型场效应管，其栅源电压$U_{GS}$可正可负。当$I_{D}$方向自漏极流出且大于$I_{DSS}$时，说明该管为N沟道耗尽型MOS管。P沟道的场效应管电流方向与N沟道相反；JFET的$I_{D}$一般小于等于$I_{DSS}$。

9.在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，放大电路的电压放大倍数$A_{u}$必须满足（）

A.$A_{u}=1$

B.$A_{u}=3$

C.$A_{u}＞3$

D.$A_{u}＜3$

答案：C。RC桥式正弦波振荡电路的起振条件包括相位条件和幅值条件。相位条件是正反馈，幅值条件是$|A_{u}F|＞1$，对于RC桥式振荡电路，反馈系数$F=\frac{1