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化工结晶单选练习题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

化工结晶过程中，溶液的过饱和度是衡量溶液偏离平衡状态程度的指标。下列关于过饱和度的说法中，错误的是（）。

A.过饱和度是晶体生长的驱动力。

B.过饱和度越高，晶体生长速率越快。

C.过饱和度是瞬时值，随时间变化。

D.沉淀过程也可以在无过饱和度的条件下发生。

二、

在恒定温度下，某物质的饱和溶液与纯固体共存达到平衡时，溶液的浓度称为该物质在该温度下的（）。

A.溶解度

B.过饱和度

C.结晶度

D.纯度

三、

影响晶体成核速率的主要因素之一是溶液的过饱和度。过饱和度增大，成核速率（）。

A.减小

B.增大

C.不变

D.可能增大也可能减小

四、

溶液结晶过程中，晶核的形核方式包括均匀形核和异质形核。下列关于这两种形核方式的描述中，正确的是（）。

A.均匀形核需要更高的过饱和度。

B.异质形核通常发生在溶液中已有的固体表面。

C.均匀形核的活化能低于异质形核。

D.两种形核方式对晶体成核速率的影响相同。

五、

溶液中晶体的生长过程主要是（）。

A.溶质分子在溶液中扩散的过程。

B.晶体表面吸附溶液中过饱和溶质分子的过程。

C.晶体内部原子重排的过程。

D.晶体与溶液之间发生化学反应的过程。

六、

对于结晶过程，提高溶液温度通常会导致（）。

A.溶解度降低，结晶速率加快。

B.溶解度升高，结晶速率减慢。

C.溶解度降低，结晶速率减慢。

D.溶解度升高，结晶速率加快。

七、

搅拌在结晶过程中主要起到的作用是（）。

A.降低溶液过饱和度。

B.促进溶质分子在溶液中的均匀分布。

C.直接提供晶核形成所需的能量。

D.减慢晶体生长速率。

八、

加入晶种到过饱和溶液中，其主要目的是（）。

A.提高溶液的溶解度。

B.降低溶液的过饱和度。

C.加快溶液的澄清速度。

D.促进晶体以特定的晶习生长。

九、

在化工结晶生产中，控制产品晶粒大小分布通常需要（）。

A.单一的操作条件。

B.控制过饱和度的大小和持续时间。

C.使用特定的结晶设备。

D.忽略晶体生长和成核过程。

十、

杂质的存在对溶液结晶过程的影响通常表现为（）。

A.降低溶液的过饱和度。

B.促进晶体的均匀形核。

C.增加晶体生长速率。

D.可能导致副产物生成或改变晶形。

十一、

下列哪个选项不是影响晶体习性的因素？（）

A.成长条件（温度、浓度等）。

B.晶体结构的对称性。

C.溶液的过饱和度。

D.搅拌速度。

十二、

对于需要获得较大晶粒的结晶过程，操作上通常会选择（）。

A.较低的初始过饱和度和较长的结晶时间。

B.较高的初始过饱和度和较短的结晶时间。

C.较低的初始过饱和度和较短的结晶时间。

D.较高的初始过饱和度和较长的结晶时间。

十三、

结晶过程完成后，从母液中分离出晶体的常用方法不包括（）。

A.过滤

B.重结晶

C.冷却结晶

D.蒸发结晶

十四、

在结晶过程中，若溶液的过饱和度低于临界过饱和度，则（）。

A.晶体停止生长。

B.晶核无法形成。

C.晶体开始溶解。

D.结晶过程自动中止。

十五、

A.结晶过程一定是放热过程。

B.结晶过程一定是吸热过程。

C.结晶过程的吉布斯自由能变化一定为负。

D.结晶能否发生仅取决于温度。

十六、

在二元体系相图上，结晶过程通常发生在（）区域。

A.液相线以下，固相线以上。

B.液相线以上，固相线以下。

C.液相线以下，固相线以下。

D.液相线以上，固相线以上。

十七、

对于热敏性物料，通常优先考虑采用（）方式进行结晶。

A.降温结晶

B.蒸发结晶

C.抗衡结晶

D.溶剂萃取结晶

十八、

在结晶器设计中，停留时间是指（）。

A.溶液从进入结晶器到完全澄清的时间。

B.晶体从开始形成到达到目标大小的时间。

C.单位体积结晶器内溶液的量。

D.溶液在结晶器内平均停留的时间。

十九、

下列哪种现象不属于结晶过程常见的问题？（）

A.结晶过快导致产品粒度不均。

B.杂质包覆导致产品纯度下降。

C.晶体生长不完整导致产品多孔。

D.结晶器壁结垢。

二十、

诱导期是指（）。

A.从开始加入晶种到晶体可见的时间。

B.从溶液开始过饱和到晶体可见的时间。

C.晶核形成后到晶体开始可见生长的时间。

D.晶体生长过程中暂停生长的时期。

试卷答案

一、D

解析：结晶过程是在溶液过饱和状态下，溶质分子有序排列形成晶体的过程。沉淀过程通常是在溶液未达到过饱和或存在不溶性物质时发生，不依赖过饱和度作为驱动力。

二、A

解析：溶解度定义为在特定温度下，某物质