氮化硼_环氧树脂复合材料：制备工艺、性能表征及γ射线辐射效应探究.docx

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2025-10-22 发布于上海
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氮化硼/环氧树脂复合材料：制备工艺、性能表征及γ射线辐射效应探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电子设备正朝着高性能、微型化和高度集成化的方向迅猛迈进。以智能手机为例，其内部芯片的集成度不断攀升，功能愈发强大，然而这也导致设备在运行过程中产生的热量急剧增加。据相关研究表明，当芯片温度每升高10℃，其性能就会下降约5%，可靠性降低10%。同样，在数据中心里，大量服务器紧密排列，高密度的计算和存储需求使得散热问题成为制约其高效运行的关键因素。过高的温度不仅会严重影响电子元件的性能，还可能导致其寿命大幅缩短，甚至引发故障，给人们的生产和生活带来诸多不便和损失。