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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长技术与特性的深度剖析.docx

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    Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长技术与特性的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在半导体材料领域，硅（Si）衬底凭借其大尺寸、成本低、热导率高，且能与Si基微电子器件集成等显著优势，成为氮化镓（GaN）外延生长极具潜力的衬底材料。GaN作为宽禁带半导体材料，具备高电子迁移率、高饱和电子速度以及良好的热稳定性等特性，在光电子器件、高功率电子器件等众多领域展现出广泛的应用前景，如在发光二极管（LED）、激光器、高电子迁移率晶体管（HEMT）中发挥着关键作用。然而，由于GaN缺乏同质外延材料，通常采用异质外延生长方法，而在Si衬底上实现高质量的GaN外延生长

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