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探秘掺杂对铋层状化合物CaBi4Ti4O15微结构影响：机制、性能与应用.docx

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    探秘掺杂对铋层状化合物CaBi4Ti4O15微结构影响：机制、性能与应用

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代材料科学领域，铁电材料以其独特的电滞回线、自发极化及压电效应等特性，在电子器件、传感器、存储器等众多关键领域展现出不可或缺的应用价值。铋层状化合物作为铁电材料家族中的重要成员，凭借高居里温度、低介电常数以及良好的抗疲劳性能，在高温压电应用和铁电存储等前沿领域备受瞩目。其中，CaBi4Ti4O15（CBT）作为典型的铋层状结构无铅压电陶瓷材料，有着较高的居里温度，通常可达775℃-790℃。高居里温度使得CBT在高温环境下能够保持稳定的铁电性能，极大地拓展了其在高温传感器

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