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P型ZnO薄膜及其p-n结：制备工艺、性能表征与应用前景的深度剖析.docx

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    P型ZnO薄膜及其p-n结：制备工艺、性能表征与应用前景的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景

    在半导体材料的璀璨星空中，氧化锌（ZnO）凭借其独特而卓越的物理化学性质，占据着举足轻重的地位，成为了材料科学领域的研究焦点之一。ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，其室温下的禁带宽度高达3.37eV，激子束缚能更是高达60meV，远高于室温下的热离化能（26meV）。这一特性使得ZnO在室温条件下就能够实现高效的激子复合发光，为其在短波长光电器件的应用奠定了坚实基础。与其他常见半导体材料如硅（带隙1.12eV）、砷化镓（带隙1.42eV）相比，ZnO的宽禁带特性使其在紫

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